[SK하이닉스 뉴스룸] “AI 시대를 선도하는 메모리 기술 비전 총망라” SK하이닉스, ‘SEDEX 2024’ 참가

알고싶은 반도체 — Mon, 28 Oct 2024 18:15:15 +0900

출처 : “AI 시대를 선도하는 메모리 기술 비전 총망라” SK하이닉스, ‘SEDEX 2024’ 참가

“AI 시대를 선도하는 메모리 기술 비전 총망라” SK하이닉스, ‘SEDEX 2024’ 참가

SK하이닉스가 23일부터 사흘간 서울 삼성동 코엑스에서 열리는 ‘2024 반도체대전(SEDEX)’에 참가해 인공지능(AI) 시대를 이끄는 메모리 기술력과 미래 비전을 선보였다.

news.skhynix.co.kr

기사내용요약

1. SEDEX : 한국반도체산업협회가 주최하는 국내 최대 반도체 전문 전시회

2. 2024 SEDEX SK하이닉스의 주제 : MEMORY, THE HEART OF AI

3. 하이닉스의 SEDEX 전시 목적 : AI 시대에 SK하이닉스 메모리 반도체가 지니는 의미와 중요성을 강조,

토탈 AI 메모리 프로바이더로서 SK하이닉스가 선보이는 다양한 제품과 뛰어난 기술력을 한자리에서 만나볼 수 있는 자리

4. 전시 존 : HBM, CXL, PIM, 서버용 솔루션, Ai향 메모리 솔루션

5. 메인 제품 : D램 HBM(HBM3E 12단)

6. PIM : 하이닉스의 PIM 반도체인 AiM, 가속기 카드인 AiMX(장점 : 메모리 내에서 연산기능까지 수행)

7. CXL : 고성능 컴퓨팅 시스템에서 CPU.GPU, 메모리 등을 효율적으로 연결 -> 대용량, 초고속 지원

CXL과 DDR5의 장착 : 기존시스템 대비 최대 50%의 대역폭 + 최대 100% 용량확장

8. 서버용 술루션 : HPC(고성능 컴퓨팅 시장)에서 주목받는 서버용 모듈(DDR5 RDIMM, DDR5 MCRDIMM) + eSSD

9. Ai향 메모리 솔루션 : LPCAMM2(기존 D램 모듈 2개를 LPCAMM2 1개로 대체 -> 공간절약 + 저전력,고성능), ZUFS(스마트폰 앱 실행시간 45% 성능 향상)

용어 정리

1. 반도체 : 특정 조건에서 전기가 흐르는 물질(대표적인 물질로 Si;실리콘이 있다.)

2. 메모리반도체 : 반도체에서 기억을 담당하는 반도체로서 DRAM, NAND flash 메모리가 있다.

3. HBM : Dram을 stacking한 상태에서 TSV기술로 각 chip의 전극을 연결

*TSV: 칩을 적층하기 위하여 칩에 구멍을 뚫어 수직으로 연결하여 적층하는 기술

4. CXL : 시스템 내 메모리, 스토리지, 로직 반도체 등 장치별로 서로 다른 인터페이스를 하나로 통합해 주는 기술

-> 데이터 통로인 대역폭을 더 넓히고 처리 용량을 이전보다 쉽게 늘릴 수 있어 고성능, 고용량을 요구하는 Ai시대의 필수

(출처 : SK하이닉스, ‘CXL DEVCON 2024’ 참가… AI 시대 이끌 다양한 CXL 메모리 제품 공개)

5. PIM : 메모리 반도체에 연산 기능을 더한 지능형 메모리 반도체

-> 연산을 마친 소량의 데이터만 xPU로 전달하기에 병목 현상*과 데이터 이동 거리를 획기적으로 줄여 전력 소모량을 절감

-> Ai 시대에서 학습보다 추론에 더 효율적(학습은 시간당 얼마나 많은 데이터를 처리하는지가 중요하고, 추론은 데이터를 지연시간(Latency) 없이 얼마나 빠르게 처리하는지가 사용자의 요구 사항을 충족하기 위한 핵심 요소)

(출처 : [2023 AI 메모리 결산] HBM·PIM·CXL 라인업 ‘탄탄’ SK하이닉스, Global No.1 AI Company로 도약한다)

7. DDR : 초기 DRAM은 클럭주파수당 한번에 DATA를 한번만 보낼 수 있었으나 DDR로 발전함에 따라 두번 DATA를 보낼 수 있습니다. DDR이 발전함에 따라(DDR1->DDR2->DDR3->DDR4->DDR5) 전송속도는 증가하고 전압은 감소하여 발전합니다.

<8대공정> Photo공정(1)

알고싶은 반도체 — Tue, 15 Oct 2024 16:00:59 +0900

포토공정이란?

웨이퍼 상의 회로 패턴을 구현하기 위한 공정입니다.

반도체는 미세화(Scailing)될수록 반도체의 성능이 향상합니다. 포토공정을 통해 회로패턴을 구현하며 이로 인해 반도체가 미세하게 형성될 수 있습니다. 반도체 기사를 보다보면 DUV, EUV와 같은 용어를 볼 수 있는데 DUV, EUV는 포토공정시 사용하는 광원의 명칭이며 빛의 파장이 짧을수록(EUV =13.5nm, DUV =1nn, 2nn nm) 더 미세한 패턴을 형성할 수 있기에 중요한 공정과정 중 하나입니다.

포토 공정의 공정 순서 7단계

1단계 : HMDS 처리

HMDS처리 목적 : 웨이퍼는 친수성, PR은 소수성의 특징을 갖습니다. 친수성 <-> 소수성은 잘 부착되지 않습니다. 이를 해결하기 위해 웨이퍼에 HMDS 처리를 통해 웨이퍼를 친수성에서 소수성으로 바꿔줍니다.
방법 : 밀폐된 좁은 공간으로 먼저 HMDS를 밀어 넣고 N2를 일정한 압력으로 불어 넣어 강제로 HMDS가 막 위에 얇게 펴지게 합니다.
출처 : SK하이닉스 뉴스룸

2단계 : 스핀코팅

출처 : SK하이닉스 뉴스룸

스핀코팅 : 일정량을 웨이퍼 상에 떨어뜨린 후, 빠른 속도로 웨이퍼를 회전시켜 감광제가 웨이퍼 위에 얇게 펴지도록 하는 것을 스핀코팅이라고 합니다.
스핀코팅 목적 : PR 도포
PR Flim의 두께를 결정짓는 요소 : PR의 점도, 최종 회전 속도
- PR의 점도가 높을수록 PR의 두께 증가(최종 회전 속도 일정)
- 최종 회전 속도가 빠를수록 PR의 두께 감소(PR의 점도 일정, 원인 : 원심력)
스핀코팅 시 발생하는 문제점 : Edge bead
출처 : 포토공정 - PR edge bead 제거 방법 : 네이버 블로그 (naver.com)
Edge bead가 문제점인 이유 : 전체 면이 균일하게 코팅되어야 감광되는 깊이가 일정해져서 포토 다음에 진행할 식각 불량
Edge bead 제거방법 : EBR Solvent(Edge Bead Removal 용액, 신너라고도 함)로 edge bead 제거

3단계 : Soft bake

목적 : 노광 전 PR의 유기용매를 제거 & 노광 공정의 민감도를 줄이기 위해
방법 : 90~110도의 낮은 온도를 가해주는 과정
PR의 유기용매를 제거해야하는 이유
1. 노광 시에 솔베트의 영향으로 감광제가 빛에 의하여 의도하지 않은 영향을 줄 수 있기 때문입니다.
2. PR액을 어느 정도 굳게 하여 감광액이 웨이퍼에 잘 달라붙게 합니다.